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Chapter 2 – Product Specifications
Revision 1.1
2
2.1
PRELIMINARY
Product Specifications
Overview
SanDisk iNAND Product Manual
For details about the environmental, reliability and durability specifications, refer to
Section 8.1 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00.
2.2
Typical Card Power Requirements
Table 2-1
iNAND Power Requirements (Ta=25°C@3.0V)
VDD (ripple: max, 60mV peak-to-peak) 2.7 V – 3.6 V
Value
Measurement
Average
Sleep
250
uA
Max.
Read
Default Speed
High-Speed
100
200
mA
mA
Max.
Max.
Write
Default Speed
High-Speed
100
200
mA
mA
Max.
Max.
Note: Current measurement numbers are average over 1 second.
2.3
2.3.1
Operating Conditions
Operating and Storage Temperature Specifications
Table 2-2
Operating and Storage Temperatures
Temperature
Operating
Non-Operating: After soldered onto PC Board
Non-Operating: In Tape/Reel
-25° C to 85° C
-40° C to 85° C
-10° C to 50° C
2.3.2
Moisture Sensitivity
The moisture sensitivity level for iNAND is MSL = 3.
? 2007 SanDisk Corporation
2-1
02/09/07
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RACK SWING FRAME 38"X21.25" BLK
SF-2294
RACK SWING FRAME 35" X 19"
SFD1200-12BG
FRONT END DC/DC 1200W 12V
SFH21-PPPN-D07-ID-BK-M181
CONN RECEPT 14POS 2MM IDT GOLD
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CONN RECEPT 40POS 2MM IDT GOLD
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功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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SDIN2C2-8G
制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM